真空镀膜靶材中毒现象及处理方法
先：靶面金属化合物的形成。本文主要介绍的是真空镀膜靶材中毒现象及处理方法,其中包括:靶面金属化合物的形成,靶中毒的影响因素,靶中毒现象,靶中毒的物理解释,靶中毒的解决办法.
由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。
影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物部覆盖的时候，靶完中毒，在靶面上沉积层化合金属膜。使其很难被再次反应。
三：靶中毒现象
(1)正离子堆积：靶中毒时，靶面形成层缘膜，正离子到达阴靶面时由于缘层的阻挡，不能直接进入阴靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴溅射无法进行下去。（2）阳消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了缘膜，到达阳的电子无法进入阳，形成阳消失现象。
（1）般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会显著降低。
（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不样，般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶中毒后溅射速率低。
（3）反应溅射气体的溅射率本来就比惰性气体的溅射率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。
五：靶中毒的解决办法
（1）采用中频电源或射频电源。
（2）采用闭环控制反应气体的通入量。
（3）采用孪生靶
（4）控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。
